近日，ASML发布最新三季度财报后，股价创26年来最大跌幅引起阛阓极大温暖。在此时间，尼康和佳能接续发布的光刻机研发最新推崇也引起行业聚焦。

ASML股价创26年来最大跌幅

全球光刻机行业指令者ASML近期发布了其三季度财报和四季度财报指引，并下调了2025财年的事迹预期。由于外洋场面和半导体产业需求的扼制，ASML在好意思国上市的股票碰到了26年来的最大跌幅，当日股价下降16%。

具体财报而言，ASML三季度收尾营收75亿欧元，毛利率达50.8%，净利润达21亿欧元。这主要得益于DUV光刻系统销售额和装机束缚销售额的加多。但同期，ASML新增订单金额达26亿欧元，比阛阓预期的54亿欧元减少近一半。

阛阓对High NA EUV光刻机的走向保握高度温暖。据路透社近日走漏音讯，三星因在好意思国得克萨斯州的工场未能诱惑大客户，推迟了给与ASML坐蓐的光刻机。同期，三星也推迟了向其他一些供应商下订单，甚至这些供应商不得不另觅客户。

三星在本年4月示意，其德州工场将于2026年运转坐蓐，而非原定的2024年。三星电子会长李在镕本月早些时候公开示意，这家工场濒临挑战。三星电子推迟成绩举止也影响着阿斯麦事迹。阿斯麦提供的数据自大，在韩销售额本年三季度环比下滑三分之一至8.89亿欧元。

英特尔和台积电方面，近期ASML新任首席本质官傅恪礼Christophe Fouquet涌现，英特尔的第二台High NA EUV光刻机依然获胜完成拼装，而台积电的首台High NA EUV光刻机瞻望最快在本年年底完成交货。

对于四季度和来岁发展瞻望，Christophe Fouquet在声明中示意，尽管东谈主工智能范围展现出强健的发展势头，但半导体阛阓的复苏进度比预期渐渐，瞻望这一趋势将握续到2025年。傅恪礼还提到，由于晶圆代工场之间的竞争态势，部分客户的新技巧节点发展态势放缓，影响了对光刻缔造的需求时期节点，尤其是在EUV光刻机方面。而在存储芯片范围，新增产能有限，发展重心依然是技巧转型，以兴盛对东谈主工智能相干的高带宽内存(HBM)和第五代双倍数据速率立时存取存储器(DDR5)的需求。

佳能请托首台新式纳米压印光刻机

在光刻机阛阓竞争中，佳能的策略是专注于KrF和i-line，而不波及EUV和ArF等顶端家具，这种策略格外灵验。这是因为，在半导体制造中，不管何等顶端，王人不可仅靠EUV制造，而是调处使用ArF浸润式、ArF干式、KrF和i-line。

近期日本佳能告示，见效请托佳能开头进的纳米压印光刻NIL系统FPA-1200NZ2C。据悉，佳能的FPA-1200NZ2C系统可收尾最小14nm线宽的图案化，救助5nm制程逻辑半导体坐蓐。

公开良友自大，纳米压印与光刻是两种不同的技巧途径。两者的办法调换，粗浅表情等于将联想好的集成电路图“复制粘贴”到硅片上。而收尾规律却大有不同，形象地比方雷同“影相”与“盖章章”。

传统的光刻机通过将电路图案投影到涂有光刻胶的晶圆上来调节电路图案，佳能的缔造则是通过将“印有电路图案的掩模像钤记雷同压入晶圆上的光刻胶中”来坐蓐芯片。由于电路图案的调节不需要通过光学机制，掩模上的清雅电路图案不错在晶圆上真正再现。

佳能示意，相较于传统光刻机需要复杂的光学镜片构造，纳米压印缔造的构造更为粗浅，功耗仅需十分之一。同期还能通过单次压印变成复杂的三维电路图案，或者处理用于开头进逻辑芯片的极细电路。

据悉，此次请托的首台缔造将被送往好意思国得克萨斯电子磋商所。该磋商所是得克萨斯大学奥斯汀分校救助的一个团体组织，成员包括英特尔和其他芯片公司、全球部门和学术组织，这台缔造将被用于芯片制造的磋商与征战责任。佳能光学家具副首席本质官Kazunori Iwamoto对媒体示意，公司贪图在异日3-5年内，每年销售10-20台此类缔造。

就在该音讯公布的三天之前，佳能还发布了新式半导体曝光缔造FPA-3030i6，这是一款配备新征战投影镜头的i-line步进机。新家具FPA-3030i6是面向8英寸（200mm）以下小尺寸基板的半导体曝光缔造。该缔造通过经受新征战的高透过率和高持久性投影镜头，既能扼制高照度曝光下产生的像差，又能裁减曝光时期，从而提高坐蓐力。此外，代表镜头区别率的NA（数值孔径）范围扩大、对应特别基板的搬送系统等，有多项option（有偿）可供选用，从而兴盛多种半导体器件（如功率器件和绿能器件）的制造需求。

尼康走漏旗下首款半导体后端工艺用光刻机

而尼康依旧思在ArF浸润式和ArF干法范围有所收获。据悉，尼康贪图在2026财年之前接续推出三款半导体光刻机，进一步通过加多氟化氩（ArF）干式、氟化氪（KrF）以及i线三种波长的光刻机，彭胀家具线并追逐竞争敌手。

10月22日尼康告示，公司正在研发一款面向半导体先进封装工艺应用、“兼具高区别率及高坐蓐性能”的1.0微米（即1000纳米）区别率数字光刻机，该缔造瞻望在尼康2026财年内发售。

尼康示意，跟着数据中心AI芯片用量的络续晋升，在以Chiplet芯粒技巧为代表的先进封装范围出现了对基于玻璃面板的PLP封装技巧日益增长的需求，区别率高且曝光面积大的后端光刻机也愈发不可或缺。尼康正在研发的后端数字光刻机，将半导体光刻机代表性的高区别率技巧同自大产业所用FPD曝光缔造的多透镜组技巧相交融。其曝光流程无需使用掩膜，而是欺诈SLM（空间光调制器）来生成所联想的电路图案，从光源发出的光经SLM反射后通过透镜光学组，最终在基板上成像。据悉，新缔造相较于传统的有掩膜工艺可同期削减后端工艺的资本和用时。

尼康近两年络续加强研发，加快迭代其光刻缔造。本年1月，尼康空闲发布ArF浸没式光刻机NSR-S636E，这种光刻机使用氟化氩激光器来坐蓐芯片。

尼康称，当作半导体坐蓐流程中关节层的曝光系统，NSR-S636E具有尼康历史上更高的坐蓐恶果，并具有高水准的套刻精度和坐蓐速率，可为顶端半导体器件中的3D等器件结构千般化的挑战提供处分决策。NSR-S636EArF浸没式曝光机经受增强型iAS，该翻新系统可欺诈在高精度测量和平凡的晶圆翘曲和畸变纠正功能上，达成了高重迭精度（MMO≤2.1nm）。曝光面积为26毫米×33毫米，坐蓐速率则是加多到每小时280片，加上减少停机时期，使得其与面前型号比较，举座坐蓐率提高了10~15%，已达到尼康光刻缔造中最高的坐蓐恶果。

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